山东天岳碳化硅功率半导体芯片项目开工,年产SiC MOSFET 400万只

时间:2019-03-01 15:21来源:集微网作者:Jucy 点击:
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摘要:2月27日,山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发与产业化项目作为济南114个集中开工项目之一正式开工。 碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之一,据此前济南市发改委公布的消息,该项目总投资65000万元,项目总占用厂房面积为2400平方米,主要将建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条,利用厂区原有厂房

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2月27日,山东天岳碳化硅功率半导体芯片研发与产业化项目作为济南114个集中开工项目之一正式开工。

碳化硅功率半导体芯片及电动汽车模组研发与产业化项目是济南2019年市级重点项目之一,据此前济南市发改委公布的消息,该项目总投资65000万元,项目总占用厂房面积为2400平方米,主要将建设碳化硅功率芯片生产线和碳化硅电动汽车驱动模块生产线各一条,利用厂区原有厂房的空置区域建设。

据山东天岳官方消息,本项目以硅烷和甲烷在氢气和氩气条件下制得SiC衬底外延片后,经掩膜淀积、光刻、显影、灰化、刻蚀和检验封装等工序,生产SiC MOSFET晶体管,设计年生产规模为400万只/年;以碳化硅外延材料为原料,经晶圆标记、离子注入、厂板淀积、欧姆接触、肖特基电极、钝化层制备等工序,生产SiC功率二极管,设计年生产规模为1200万只/年;以碳化硅芯片为原料,经焊接、清洗、铝引线键合灌封硅凝胶等工序,生产碳化硅电动汽车驱动模块,设计年生产规模为1万只/年。
【光粒网综合报道】( 责任编辑:Jucy )
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