电光Q 开关晶体LiNbO3、KD*P、BBO

时间:2014-09-23 14:49来源:新特光电作者:梦的忧伤 点击:
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摘要:电光调Q 开关是利用晶体的电光效应制成的Q 开关。电光调Q 开关的开关速度快、器件的效率高;可以根据激光脉冲在谐振腔里的传输情况进行精确控制,因此激光与其它联动的仪器可以获得高精

关键字:电光Q,开关晶体,LiNbO3,KD*P,BBO

  电光调Q 开关是利用晶体的电光效应制成的Q 开关。电光调Q 开关的开关速度快、器件的效率高;可以根据激光脉冲在谐振腔里的传输情况进行精确控制,因此激光与其它联动的仪器可以获得高精度的同步;电光调Q 装置还有破坏阈值高、重复频率高以及系统工作较稳定等突出优点。

  常用的电光调制晶体有LiNbO3、KD*P、BBO,为实现不同的激光器参数应选择不同的电光调制晶体。在要求低功率输出情况下,KD*P 晶体是不错的选择,它相对于LiNbO3有较大的抗损伤阈值和弱的压电振铃效应。但是KD*P 晶体单通损耗约为2.5%,这使得KD*P 晶体在平均输出功率约为两瓦时产生很明显的热透镜效应,致使局部峰值功率密度超过光学元器件的损伤阈值。

  LiNbO3普克尔盒损耗低,它的单程吸收损耗约为0.5%,热聚焦和热透镜效应可以忽略,可在高功率下工作,但是LiNbO3普克尔盒损伤阈值低(500MW/cm2),并且有比KD*P 晶体更为严重的压电振铃效应,这个缺陷决定了LiNbO3不能工作在更高的重复频率下。

  BBO 晶体是应用于再生放大器的最佳普克尔盒晶体材料, BBO 晶体的单次损伤阈值高达50GW/cm2@12ns,多次损伤阈

  值为23GW/cm2。高损伤阈值、弱的压电振铃效应以及低的插入损耗使得BBO 晶体非常适用于高峰值功率和高平均功率的半导体泵浦和灯泵浦电光调制固体激光器。

【光粒网综合报道】( 责任编辑:yeyan )
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